SOI芯片偏振控制器-開關陣列

一、SOI芯片偏振控制器-開關陣列的定義
S0I芯片式偏振光開關或偏振控制器，該產品基于硅基 P-I-N高速移相結構和氮化鈦熱移相結構，實現偏振控制和開關的片上集成，芯片尺寸小，集成度高，可提供裸片或光電一體化封裝產品方案。
二、SOI芯片偏振控制器-開關陣列的特點
多通道
高度集成度芯片化
高速響應
三、SOI芯片偏振控制器-開關陣列的應用
光纖傳感
光纖通信
激光雷達

四、SOI芯片偏振控制器-開關陣列的性能指標

參數指標	單位	最小值	典型值	最大值
波長范圍	nm	1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm
熱調功耗	mW			100
電調功耗	mW			10
響應速率	Hz	>20kHz@熱調試模式，>10MHz@電調模式
偏振消光比	dB	>30 dB@熱調試模式，>18dB@電調模式
通道數		1,2或可定制
光纖接入損耗	dB	<2@熱調模式，<3@電調模式
偏振相關損耗	dB	≤0.5
工作溫度范圍	℃	-20		50
工作濕度范圍	%			+65
芯片尺寸	mm	偏振開關:3.14(L)X1.0(W)X0.5(H) 偏振控制器:3.1(L)X0.6(W)x0.5(H)

五、SOI芯片偏振控制器-開關陣列的芯片尺寸

SOI芯片偏振控制器-開關陣列的芯片尺寸

六、四川梓冠光電SOI芯片偏振控制器-開關陣列訂貨信息

波長	類型	通道數
13=1310nm 15=1550nm	1=偏振開關 PS 2=偏振控制器PC XX=other	1=1CH，4=4CH，8=8CH， 16=CH，48=48CH，XX=0ther

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