硅基單片集成 9bit 可調(diào)光延遲線芯片具有高速切換（100～200ns）、高延時(shí)精度（0.5ps 典型值，0.2ps 可達(dá)）、超小尺寸、超寬帶工作、全固態(tài)波導(dǎo)芯片可靠性強(qiáng)、大時(shí)延范圍(～2ns 可達(dá))、高功率耐受度（ 23dBm 典型值）等特性
硅基單片集成 9bit 可調(diào)光延遲線芯片
單片集成多比特光時(shí)延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能最優(yōu)和集成度最高的光時(shí)延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級(jí)時(shí)延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時(shí)延切換開(kāi)關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路，延時(shí)切換時(shí)間達(dá)到 200ns 以下，最大總時(shí)延量 1022ps；延時(shí)精度 0.5ps，片內(nèi)單級(jí)延時(shí)損耗低至 0.8dB/bit。相比于傳統(tǒng)采用微波傳輸線的電時(shí)延芯片，光時(shí)延器可以適用任意的微波和毫米波頻段，具有極低的串?dāng)_和極高的非目標(biāo)時(shí)延信號(hào)消光比。最大時(shí)延 1ns 的 9bit 可調(diào)光延時(shí)芯片尺寸小至 2cm×1.5cm，大幅度減小系統(tǒng)體積；由于光載波頻率相對(duì)于微波信號(hào)大至 4 個(gè)數(shù)量級(jí)的頻率比，光子集成的時(shí)延器芯片具有覆蓋從米波到毫米波全頻段的信號(hào)處理能力，適合各類(lèi)超寬帶相控陣的波束合成應(yīng)用。
硅基單片集成 9bit 可調(diào)光延遲線芯片特性
硅基單片集成 9bit 可調(diào)光延遲線芯片應(yīng)用領(lǐng)域
硅基單片集成 9bit 可調(diào)光延遲線芯片主要性能指標(biāo)
性能指標(biāo)Parameter | 單位Unit | 典型值Typ. | 備注Notes |
工作波長(zhǎng)Operationwavelength | nm | 1530-1570 |
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延時(shí)位數(shù)Delay bits | / | 9 | 可定制Can be customized |
最小延時(shí)步進(jìn)Min.step-delay | ps | 2 | 可定制Can be customized |
可調(diào)節(jié)最大延時(shí)量Adjustable max.delay | ps | 1022 |
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延時(shí)精度Time-delay accuracy
| ps | ±0.5 | ≤16ps 延時(shí)量 delay time |
±1 | 18~64ps 延時(shí)量delay time | ||
±2 | 66~512ps 延時(shí)量delay time | ||
±3 | 514~1022ps 延時(shí)量delay time | ||
延時(shí)切換時(shí)間Delay switching time | ns | 200 |
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插入損耗Insertion loss | dB | 11 | 13dB max |
各延時(shí)態(tài)損耗差異Delay state loss difference | dB | ±1 |
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最大耐受光功率Max. tolerance opticl power | dBm | 23 | 26dBm max |
回波損耗Return loss | dB | 45 |
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芯片尺寸Chip dimension | mm | 20×15×0.7 |
芯片尺寸（單位：mm）示意圖
四川梓冠光電生產(chǎn)的硅基器件芯片系列包括：硅基單片集成 9bit 可調(diào)光延遲線芯片、硅基單片集成 7bit 可調(diào)光延時(shí)器芯片、單片集成 6 比特光延時(shí)芯片、SOI芯片可調(diào)光濾波器陣列、SOI芯片光電探測(cè)器陣列、SOI高速多通道光衰減器、SOI高速光開(kāi)關(guān)陣列等，歡迎咨詢(xún)！
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