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1310nmMEMS衰減器
1310nmMEMS衰減器具有高精度與穩(wěn)定性、快速響應(yīng)、低插入損耗、可編程與遠(yuǎn)程控制的特性,主要應(yīng)用于光通信系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)、光通信器件的測(cè)試與校準(zhǔn)、光纖傳感與測(cè)量、教學(xué)與科研等領(lǐng)域
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詳細(xì)信息

1310nmMEMS衰減器

一、1310nmMEMS衰減器的定義
1310nm MEMS衰減器是一種基于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)的高精度光衰減器。它利用先進(jìn)的微機(jī)電技術(shù),通過(guò)微小的機(jī)械結(jié)構(gòu),在微米或納米尺度上實(shí)現(xiàn)對(duì)光信號(hào)強(qiáng)度的精確調(diào)節(jié)。與傳統(tǒng)的衰減器相比,1310nm MEMS衰減器具有更高的精度、更快的響應(yīng)速度和更好的穩(wěn)定性,是光通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵元件。
二、1310nmMEMS衰減器的特點(diǎn)
1、高精度與穩(wěn)定性:1310nm MEMS衰減器采用先進(jìn)的微機(jī)電技術(shù),具有極高的調(diào)節(jié)精度和穩(wěn)定性。其衰減范圍通常可達(dá)30dB以上,回波損耗也超過(guò)30dB,確保光信號(hào)在傳輸過(guò)程中保持最佳狀態(tài)。
2、快速響應(yīng):由于MEMS技術(shù)的融入,1310nm MEMS衰減器具有極快的響應(yīng)速度。它能夠在極短的時(shí)間內(nèi)對(duì)光信號(hào)進(jìn)行精確調(diào)節(jié),滿足光通信系統(tǒng)的實(shí)時(shí)需求。
3、低插入損耗:1310nm MEMS衰減器在設(shè)計(jì)上注重降低插入損耗,確保光信號(hào)在通過(guò)衰減器時(shí)損失最小。這有助于提高光通信系統(tǒng)的傳輸效率和穩(wěn)定性。
4、可編程與遠(yuǎn)程控制:部分1310nm MEMS衰減器還支持可編程和遠(yuǎn)程控制功能。用戶可以通過(guò)內(nèi)置的軟件界面或外部控制系統(tǒng),對(duì)衰減器進(jìn)行精確設(shè)置和調(diào)節(jié),實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化測(cè)試和控制。
三、1310nmMEMS衰減器的技術(shù)參數(shù)

參數(shù)

Parameters

單位

Unit

指標(biāo)

Index

備注

Notes

波長(zhǎng)范圍

Wavelength range

nm

1260-1650nm or 980nm/1064nm

 

1

衰減類(lèi)型

Attenuation type

 

Normally bright or dark

衰減范圍

Attenuation range

dB

≥30

 

最大衰減范圍

Max attenuation range

dB

≥45

 

插入損耗

Insertion loss

dB

≤0.7 (0.5 Typ.)

不含連接頭損耗

Without the connector loss

衰減類(lèi)型

Attenuation type

 

連續(xù)

Continue

 

波長(zhǎng)相關(guān)損耗

WDL

dB

≤0.1

在0dB測(cè)試

0dB test

≤1

在20dB測(cè)試

20dB test

紋波

Ripple wave

dB

≤0.05

0.4nm 帶寬在20dB測(cè)試

0.4nm Broadband is tested at 20dB

偏振相關(guān)損耗

PDL

dB

≤0.1

在0dB測(cè)試

0dB test

≤1

在20dB測(cè)試

20dB test

溫度相關(guān)損耗

TDL

dB

≤0.15

在0dB測(cè)試比較

0dB test comparison

≤1

在20dB測(cè)試比較

20dB test comparison

回波損耗

Return loss

dB

≥55

 

偏振模色散

PMD

ps

≤0.5

 

響應(yīng)時(shí)間

Respond time

ms

≤2  (1 Typ.)

10-90% 光功率

10-90% optical power

10-90% optical power

承受光功率optical power resistant ability

mW

300

 

驅(qū)動(dòng)電壓

Driving voltage

VDC

6V

在5.2v 典型是40db

Typ. is 40dB at 5.2V

Typ. is 40dB at 5.2V

功耗

Power consumption

mW

≤2

 

工作溫度

Operating temperature

oC

0 to 70

 

貯藏溫度

Storage temperature

oC

-40 to 85


封裝尺寸及管腳定義

封裝尺寸及管腳定義

線性度

線性度

四川梓冠光電1310nmMEMS衰減器訂貨信息

VOA

端口

Port

工作波長(zhǎng)

Operationwavelength

光纖類(lèi)型

Fiber type

光纖長(zhǎng)度

Fiber length

連接頭

Connector

1=常閉

Normally close

 

2=常開(kāi)

Normally open

0101=1X1

 

XX=others

10=1060nm

13=1310nm

15=1550nm

16=1625nm

X=others

1=裸光纖

1=Bare fiber

2=900um光纖

2=900um Optical fiber

XX=others

0=0.5m

1=1m

X=others

0=None

1=FC/APC

2= FC/PC

3=SC/APC

4=SC/PC

5=ST

6=LC

XX=others


1310nm MEMS衰減器拓展資料

一、1310nm MEMS衰減器的工作原理
1310nm MEMS衰減器的工作原理主要基于靜電驅(qū)動(dòng)技術(shù)。當(dāng)施加電壓時(shí),靜電力會(huì)驅(qū)動(dòng)微機(jī)械結(jié)構(gòu)(如反射鏡或光柵)發(fā)生微小角度的轉(zhuǎn)動(dòng)或位移,從而改變光路中光信號(hào)的傳輸方向或強(qiáng)度。具體來(lái)說(shuō),當(dāng)光信號(hào)進(jìn)入MEMS衰減器時(shí),它會(huì)被反射鏡等微機(jī)械結(jié)構(gòu)反射或散射。通過(guò)精確控制反射鏡的角度或位置,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)光信號(hào)強(qiáng)度的連續(xù)或離散調(diào)節(jié)。這一過(guò)程不僅依賴于精密的機(jī)械控制,還涉及到高斯光束的傳輸理論和模場(chǎng)耦合效應(yīng),確保光信號(hào)強(qiáng)度的精準(zhǔn)調(diào)節(jié)。
二、1310nm MEMS衰減器的應(yīng)用范圍
1、光通信系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié):在光通信系統(tǒng)中,光信號(hào)的強(qiáng)度是影響傳輸質(zhì)量的關(guān)鍵因素。1310nm MEMS衰減器能夠根據(jù)需要精確調(diào)節(jié)光信號(hào)的強(qiáng)度,確保信號(hào)在傳輸過(guò)程中保持最佳狀態(tài)。這對(duì)于提高系統(tǒng)傳輸效率、降低誤碼率具有重要意義。
2、光通信器件的測(cè)試與校準(zhǔn):在光通信器件的研發(fā)、生產(chǎn)和維護(hù)過(guò)程中,精確的測(cè)試與校準(zhǔn)是不可或缺的環(huán)節(jié)。1310nm MEMS衰減器可作為標(biāo)準(zhǔn)衰減器使用,為測(cè)試系統(tǒng)提供精確的衰減量參考。同時(shí),其高精度和穩(wěn)定性還可用于校準(zhǔn)其他光學(xué)元件和測(cè)試設(shè)備,確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。
3、光纖傳感與測(cè)量:在光纖傳感系統(tǒng)中,1310nm MEMS衰減器可用于模擬不同強(qiáng)度的光信號(hào)輸入,以測(cè)試傳感器的響應(yīng)特性和靈敏度。同時(shí),在光纖測(cè)量中,它也可用于精確測(cè)量光信號(hào)的衰減量和其他相關(guān)參數(shù)。
4、教學(xué)與科研:在光通信教學(xué)與科研領(lǐng)域,1310nm MEMS衰減器也是不可或缺的實(shí)驗(yàn)工具。它可幫助學(xué)生和科研人員深入理解光信號(hào)的傳輸特性和調(diào)控機(jī)制,為相關(guān)研究和創(chuàng)新提供有力支持。

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